PCT高壓(ya)加速(su)老(lao)化試驗箱(xiang)主(zhu)要用於測(ce)試半(ban)導(dao)體(ti)封裝之抗濕氣能力，將(jiang)待測(ce)品置於嚴苛的溫(wen)度、飽(bao)和濕(shi)度（100%R.H）及(ji)壓(ya)力環(huan)境下，測(ce)試其(qi)耐(nai)高濕(shi)能力。常(chang)見(jian)的測(ce)試失(shi)效(xiao)現象主(zhu)要包括以下幾種(zhong)：

1. 爆(bao)米花(hua)效(xiao)應：當吸收(shou)水(shui)汽含(han)量高於(yu)0.17%時，爆(bao)米花(hua)現象就(jiu)會(hui)發生(sheng)。這(zhe)通常(chang)是(shi)由於(yu)封裝材料中的銀(yin)膏(gao)或載(zai)板(ban)基材吸水(shui)，在(zai)後續高溫(wen)處(chu)理過(guo)程(cheng)中水(shui)汽汽化產生(sheng)壓(ya)力，導(dao)致(zhi)封裝體(ti)爆(bao)裂。

2. 

3. 

4. 金(jin)屬化區域(yu)腐蝕(shi)：濕(shi)氣會(hui)沿(yan)著膠(jiao)體(ti)或膠(jiao)體(ti)與導(dao)線(xian)架(jia)的(de)接口(kou)滲入封裝體(ti)，導致金(jin)屬化區域(yu)（如鋁(lv)線）發生(sheng)電(dian)化學(xue)腐蝕(shi)，進而造(zao)成斷(duan)路(lu)。

5. 封裝體(ti)引腳間(jian)短路(lu)：濕(shi)氣可能攜(xie)帶離(li)子(zi)汙(wu)染，通過(guo)封(feng)裝過程造成(cheng)的(de)裂(lie)傷(shang)或表面缺陷進入半導體(ti)內部(bu)，導(dao)致(zhi)引腳間(jian)因汙(wu)染造成(cheng)短路(lu)。

6. 塑(su)封(feng)半(ban)導體(ti)失(shi)效(xiao)：水(shui)氣通過(guo)環(huan)氧(yang)樹脂滲入引起鋁(lv)金(jin)屬導(dao)線(xian)腐蝕(shi)，進而產生(sheng)開(kai)路(lu)現象。這(zhe)是塑封(feng)半(ban)導(dao)體(ti)常見(jian)的失(shi)效(xiao)模式(shi)之(zhi)壹(yi)，尤(you)其在(zai)小型化半導體(ti)器件(jian)中更(geng)為顯著。

7. PCB故(gu)障(zhang)模式(shi)：對(dui)於(yu)印(yin)刷線(xian)路(lu)板(ban)（PCB），PCT測(ce)試可(ke)能導致(zhi)起泡、斷(duan)裂、止焊漆剝(bo)離等(deng)故(gu)障(zhang)模式(shi)。

為了確保PCT高壓(ya)加速(su)老(lao)化試驗箱(xiang)測(ce)試的(de)準(zhun)確性和可(ke)靠(kao)性(xing)，需(xu)要遵(zun)循相(xiang)關的測(ce)試標(biao)準(zhun)和規(gui)範，如IEC60068-2-66、JESD22-A102-B等(deng)。同時，測(ce)試過(guo)程(cheng)中應嚴格(ge)控(kong)制(zhi)溫(wen)度、濕度和壓(ya)力等(deng)參數，並密切監測(ce)待測(ce)品的(de)失(shi)效(xiao)現象。

此(ci)外(wai)，在(zai)使用PCT高壓(ya)加速(su)老(lao)化試驗箱(xiang)時，還(hai)應註(zhu)意設(she)備(bei)的維護(hu)和保(bao)養，確保設(she)備(bei)處於(yu)良(liang)好的(de)工作狀態(tai)。例如，定期(qi)檢查設(she)備(bei)的密(mi)封(feng)性(xing)能、水(shui)位變化以及(ji)排水(shui)系(xi)統是(shi)否(fou)正常工作等(deng)。這(zhe)些(xie)措施有(you)助於減(jian)少測(ce)試過(guo)程(cheng)中的誤(wu)差和失(shi)效(xiao)現象，提(ti)高測(ce)試的(de)準(zhun)確性和可(ke)靠(kao)性(xing)。