HE-ATS750高(gao)低溫(wen)沖擊(ji)測(ce)試(shi)儀(yi):原(yuan)理(li)剖(pou)析與(yu)操作(zuo)方(fang)法(fa)詳解
發布日期:2025-04-16 點擊(ji):941
高(gao)低溫(wen)沖擊(ji)熱流(liu)儀(yi)的測(ce)試原(yuan)理(li)及(ji)方(fang)法(fa)
壹、測(ce)試原(yuan)理(li)
高(gao)低溫(wen)沖擊(ji)熱流(liu)儀(yi)通過氣(qi)流(liu)控(kong)制技(ji)術實現快速(su)溫(wen)度變(bian)化(hua),模(mo)擬產(chan)品(pin)在(zai)溫(wen)度環(huan)境下(xia)的耐受性。其核心(xin)原(yuan)理(li)包(bao)括:
氣(qi)流(liu)密(mi)閉空(kong)間形成
試驗(yan)機(ji)輸(shu)出高(gao)溫(wen)或低溫(wen)氣(qi)流(liu),通過氣(qi)流(liu)罩將(jiang)被(bei)測(ce)樣(yang)品(pin)包裹,形成密(mi)閉測(ce)試(shi)腔。
氣(qi)流(liu)在(zai)腔內循(xun)環(huan),使(shi)樣(yang)品(pin)表(biao)面(mian)溫(wen)度快速(su)均勻變(bian)化(hua),完(wan)成高(gao)低溫(wen)沖擊(ji)試(shi)驗(yan)。
局部獨(du)立沖(chong)擊(ji)
針(zhen)對元器件(jian)(如(ru)IC芯片)可(ke)單(dan)獨(du)隔離(li)測(ce)試,避(bi)免對周(zhou)邊(bian)器件(jian)造成影(ying)響。
溫(wen)變(bian)速(su)率可(ke)達30~40℃/min,遠(yuan)超傳統(tong)冷(leng)熱沖擊(ji)試(shi)驗(yan)箱。
制(zhi)冷與(yu)加熱系統(tong)
制(zhi)冷:采(cai)用(yong)雙級復(fu)疊式(shi)壓(ya)縮機(ji)或電子膨(peng)脹閥(fa)調(tiao)節制(zhi)冷量(liang),結(jie)合無(wu)氧銅(tong)管焊接(jie)技術(shu),確保低溫(wen)工況下能(neng)耗降低(di)30%。
加熱:通過高(gao)功率(lv)加熱管快速(su)升(sheng)溫(wen),配合溫(wen)度傳感(gan)器實時反(fan)饋,實現精(jing)準控(kong)溫(wen)。
振動與(yu)降噪(zao)設(she)計(ji)
壓(ya)縮機(ji)安(an)裝(zhuang)彈簧減(jian)振器,制(zhi)冷(leng)管道采(cai)用(yong)圓弧彎設(she)計(ji),避(bi)免振動導致泄漏。
機(ji)箱(xiang)內壁覆(fu)蓋(gai)波浪(lang)狀消音海(hai)綿,運行噪音(yin)低(di)於(yu)60dB。


二(er)、測試(shi)方(fang)法(fa)
高(gao)低溫(wen)沖擊(ji)測(ce)試(shi)主(zhu)要(yao)分為(wei)兩(liang)箱(xiang)法(fa)和(he)三箱(xiang)法(fa),具體(ti)步(bu)驟如(ru)下(xia):
1. 兩(liang)箱(xiang)法(fa)
操作(zuo)流(liu)程(cheng):
將(jiang)樣(yang)品(pin)置於(yu)測試箱中,通過閥(fa)門(men)快(kuai)速切換(huan)高(gao)溫(wen)/低溫(wen)氣(qi)流(liu)方(fang)向。
樣(yang)品(pin)在(zai)高(gao)溫(wen)箱和(he)低溫(wen)箱之間交替(ti)轉換(huan),實現溫(wen)度沖擊(ji)。
適用(yong)場(chang)景:
適用(yong)於(yu)體(ti)積(ji)較小(xiao)、可(ke)快速(su)轉移(yi)的樣(yang)品(pin)。
溫(wen)變(bian)速(su)率較高(gao),但溫(wen)度均勻性(xing)略低(di)於(yu)三箱法(fa)。
2. 三箱(xiang)法(fa)
操作(zuo)流(liu)程(cheng):
樣(yang)品(pin)固定(ding)於(yu)測試箱中心(xin)位(wei)置,高(gao)溫(wen)和(he)低溫(wen)氣(qi)流(liu)分(fen)別通過獨(du)立管道進(jin)入(ru)。
通過調(tiao)節氣(qi)流(liu)比例(li),實現溫(wen)度的快(kuai)速升(sheng)降。
適用(yong)場(chang)景:
適用(yong)於(yu)大尺寸樣(yang)品(pin)或需(xu)保持樣(yang)品(pin)靜止(zhi)的測(ce)試(shi)。
溫(wen)度均勻性(xing)優(you)於(yu)兩(liang)箱(xiang)法(fa),但溫(wen)變(bian)速(su)率略(lve)低(di)。
3. 測(ce)試(shi)參(can)數(shu)設(she)置
溫(wen)度範圍(wei):根據(ju)需(xu)求設(she)定高(gao)溫(wen)(如(ru)+150℃)和(he)低溫(wen)(如(ru)-70℃)極限值(zhi)。
駐留時間:樣(yang)品(pin)在(zai)高(gao)溫(wen)或低溫(wen)環(huan)境中的(de)停留時間(如(ru)5分(fen)鐘(zhong))。
轉(zhuan)換(huan)時間:溫(wen)度切換(huan)的(de)過(guo)渡時間(如(ru)10秒(miao))。
循(xun)環(huan)次數:設(she)定溫(wen)度沖擊(ji)的(de)重(zhong)復(fu)次數(如(ru)100次)。
4. 數據(ju)記(ji)錄與(yu)分析
測(ce)試(shi)過程(cheng)中,設(she)備自(zi)動記(ji)錄溫(wen)度曲線、樣(yang)品(pin)外觀(guan)變(bian)化(hua)(如(ru)裂(lie)紋(wen)、變(bian)形)及功(gong)能(neng)特性(如(ru)電氣(qi)參(can)數(shu))。
通過數據(ju)分析,評(ping)估(gu)產(chan)品(pin)在(zai)溫(wen)度下的(de)可(ke)靠(kao)性,為(wei)改(gai)進(jin)設(she)計(ji)提(ti)供(gong)依據(ju)。
三、技(ji)術優(you)勢(shi)
快(kuai)速(su)溫(wen)變(bian):從(cong)-55℃到(dao)+125℃的(de)轉(zhuan)換(huan)時間僅需(xu)10秒,滿(man)足(zu)高(gao)要(yao)求測(ce)試(shi)標(biao)準(zhun)。
節能(neng)設(she)計(ji):采(cai)用(yong)氣(qi)液(ye)旁(pang)路調(tiao)節、蒸(zheng)發溫(wen)度調(tiao)節等(deng)技術(shu),低(di)溫(wen)恒(heng)溫(wen)時無(wu)需(xu)加熱平(ping)衡(heng),運行功率(lv)降(jiang)低50%。
安(an)全保護:具備壓(ya)縮機(ji)吸(xi)排(pai)氣(qi)壓(ya)力自(zi)動保護、過載(zai)保護等功能(neng),延長設(she)備壽(shou)命(ming)。
四(si)、應用(yong)領域(yu)
電子行業:測(ce)試(shi)電路板(ban)、芯片、電池(chi)等(deng)在(zai)溫(wen)度下的(de)性能(neng)。
汽(qi)車(che)工業:評(ping)估(gu)汽(qi)車(che)零(ling)部件在(zai)高(gao)溫(wen)、低溫(wen)環(huan)境下(xia)的可(ke)靠(kao)性。
航(hang)空航(hang)天:模(mo)擬航(hang)天器在(zai)太空(kong)中的(de)溫(wen)度條件(jian)。
材料科學:研究材料在(zai)熱脹冷縮下(xia)的(de)物理(li)和(he)化學(xue)變(bian)化(hua)。
通過高(gao)低溫(wen)沖擊(ji)熱流(liu)儀(yi)的測(ce)試,可(ke)有效(xiao)發現產(chan)品(pin)設(she)計(ji)缺(que)陷(xian),提(ti)升(sheng)產(chan)品(pin)在(zai)實際使(shi)用(yong)中的(de)穩(wen)定(ding)性(xing)和(he)壽命(ming)。


